Uncategorised

 


Z głębokim żalem zawiadamiamy, że 10 stycznia 2026 roku odeszła

dr inż. Hanna Górkiewicz-Galwas

Przez wiele lat związana z Instytutem Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, w którym prowadziła zajęcia i wykłady oraz aktywnie uczestniczyła w życiu akademickim, zarówno w obszarze dydaktyki, jak i badań naukowych. Jej pasja do nauczania i zaangażowanie w rozwój młodych inżynierów pozostawiły trwały ślad w środowisku akademickim. Była autorką i współautorką podręczników technicznych, m.in. klasycznego podręcznika „Przyrządy elektronowe”, który od lat stanowił wartościowe kompendium wiedzy dla uczniów szkół zawodowych i studentów kierunków technicznych.

Msza święta żałobna odbędzie się 16 stycznia 2026 r. w kościele św. Wawrzyńca przy ul. Wolskiej 140 A o godz. 9:00, po czym nastąpi odprowadzenie na Cmentarz Wolski prawosławny (w części katolickiej).

 

 

 

 

 

 

Z głębokim żalem zawiadamiamy, że w dniu 14 listopada 2025 roku zmarł
Ś.P.

 

prof. dr hab. Stanisław Mitura

 

wieloletni pracownik Politechniki Łódzkiej, Prorektor Politechniki Łódzkiej (2002–2005), Prodziekan Wydziału Mechanicznego PŁ (1996–2002), Zastępca Dyrektora Instytutu Inżynierii Materiałowej PŁ, Doktor Honoris Causa na Technicznym Uniwersytecie w Libercu.

Uroczystości żałobne odbędą się w środę 19 listopada 2025 r. o godzinie 13:00 w Kościele pw. Zesłania Ducha Świętego w Łodzi przy ul. Piotrkowskiej 2, a następnie o godzinie 14:30 nastąpi wejście na Cmentarz Katolicki przy ul. Ogrodowej 39 w Łodzi.

Pogrążona w żałobie
rodzina

 

 

 

 

 

Z wielkim smutkiem zawiadamiamy, że 10 września 2025 roku zmarł

 

prof. dr hab. inż. Romuald Jóźwicki 

 

wybitny specjalista w dziedzinie optyki i fotoniki, pionier w zakresie techniki laserowej i holografii oraz wychowawca wielu pokoleń inżynierów.
W naszej pamięci Profesor Romuald Jóźwicki pozostanie jako uczony o niezwykłej pasji, którą przekazywał współpracownikom i studentom.
Jego wkład w rozwój Uczelni i kształcenie kolejnych pokoleń inżynierów pozostanie na zawsze w naszej pamięci.

Wyrazy współczucia najbliższym składają dyrekcja oraz pracownicy Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej.

Msza święta żałobna zostanie odprawiona w dniu 17 września 2025 roku (środa) o godzinie 10:00 w kościele Św. Andrzeja Boboli, ul. Rakowiecka 61, po czym nastąpi przejazd i odprowadzenie do grobu rodzinnego na Cmentarzu we Włochach, ul. Na Krańcu 1.

 

 

 

 

 

 

Projekt pt. Układy fotoniki scalonej dla systemów komunikacji optycznej w wolnej przestrzeni (FSOC) realizowany jest przez konsorcjum naukowo-przemysłowe, którego liderem jest firma VIGO Photonics S.A., a konsorcjantami Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Sieć Badawcza Łukasiewicz) oraz Politechnika Warszawska.

Głównym celem niniejszego projektu jest opracowanie i wszechstronne zbadanie nowych jakościowo rozwiązań dla systemów komunikacji optycznej w wolnej przestrzeni (ang. free space optical communication, FSOC), bazujących na rozwiązaniach fotoniki scalonej. W ramach realizacji badań przemysłowych i prac rozwojowych zakłada się zaprojektowanie i wytworzenie zintegrowanych, wielokanałowych układów nadawczych i odbiorczych, wyposażonych w układy elektroniki sterującej, układy optyczne do formowania wiązki oraz systemy pozycjonujące. Zakłada się opracowanie demonstratorów technologii – systemów komunikacji w wolnej przestrzeni pracujących w różnych zakresach spektralnych, tj. klasycznym dla telekomunikacji światłowodowej zakresie bliskiej podczerwieni (ang. near-infrared, NIR), odpowiadającym długości fali 1550 nm, oraz w znacznie bardziej atrakcyjnym dla komunikacji w wolnej przestrzeni zakresie średniej podczerwieni (ang. mid-infrared, MIR), obejmującym dwa podpasma – 4-6 μm i 8-12 μm.

 

Projekt: Układy fotoniki scalonej dla systemów komunikacji optycznej w wolnej przestrzeni (FSOC)

Nr umowy: FENG.01.01-IP.01-A0MR/24

Beneficjent: VIGO System S.A. (Lider projektu), Politechnika Warszawska, Sieć Badawcz Łukasiewicz - Instytut Mikroelekftroniki i Fotoniki

Koszty ogółem: 26 593 388,60 zł

Koszty kwalifikowalne: 25 000 187,50 zł

Kwota dofinansowania: 21 451 628,08 zł

 

Projekt dofinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach programu Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki

 

 

 

 

 

Kierunki studiów, na których IMiO prowadzi zajęcia:

Składanie prac dyplomowych w semestrze 25Z

Nieprzekraczalne terminy składania prac dyplomowych w bieżącym semestrze zostały ustalone na dzień:

  • 2 lutego 2026 r. - dla prac inżynierskich
  • 15 lutego 2026 r. - dla prac magisterskich

Studenci którzy planują podjąś studia II stopnia (od semestru letniego), proszeni wcześniejsze składanie prac. Nie na ostatnią chwilę.

Przez złożenie pracy dyplomowej rozumie się dostarczenie do Pani Anny Bednarek z sekretariatu dydaktycznego IMiO p.159 GE This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it., wiadomości e-mail z tytułem: "Złożenie pracy dyplomowej inżynierskiej/magisterskiej", który będzie zawierał link do udostępnionego - Pani Annie Bednarek - folderu na dysku OneDrive PW (https://wutwaw-my.sharepoint.com/) - sugerowana nazwa katalogu to Państwa numer_indeksu.

Folder ten powinien zawierać:

  1. kopię pracy dyplomowej w formacie pdf - sugerowana nazwa pliku: NazwiskoImie.pdf - (powinna to być wersja ostateczna, która zostanie załadowana we wskazanym momencie do systemu USOS APD)
  2. wersję elektroniczną dokumentu DECYZJA O DOPUSZCZENIU DO EGZAMINU DYPLOMOWEGO z wypełnioną jej pierwszą częścią (zawierającą dane o studencie, kierunku, specjalności i kierowniku pracy dyplomowej)
  3. pozytywną ocenę kierownika pracy dyplomowej w formie elektronicznej - tutaj sugeruje się umieszczenie kopii e-maila przesłanego przez promotora do Pani Anny Bednarek w której będą podane: nazwisko i imię studenta, jego numer indeksu, kierunek i specjalność studiów oraz tytuł pracy dyplomowej (w wersji polskiej i angielskiej) wraz z frazą "Pracę dyplomową oceniam pozytywnie"

Przy wysyłaniu wiadomości e-mail proszę włączyć opcje żądające potwierdzenia dostarczenia jak i przeczytania

UWAGA: Proszę upewnić się czy tytuł pracy dyplomowej w pliku pdf jest identyczny z tym umieszczonym w systemie USOS APD.

Zgodnie z Zarządzeniem nr 4/2022 Rektora PW nie ma formalnego obowiązku drukowania i oprawiania pracy dyplomowej, ale zaleca się mieć fizyczną wersję pracy na sam egzamin dyplomowy - ułatwi to członkom komisji szybsze zapoznanie się z jej treścią. Okładki do pracy można pobrać w Sekretariacie Dydaktycznym Instytutu.

To samo zarządzenie reguluje sposób formatowania pracy dyplomowej.

Po sprawdzeniu kompletności dokumentacji Sekretariat przygotuje ostateczną DECYZJĘ O DOPUSZCZENIU DO EGZAMINU DYPLOMOWEGO i przekaże sprawę do Dziekanatu.
W tym samym czasie zostanie ustalony recenzent pracy dyplomowej oraz termin egzaminu dyplomowego (te informacje będzie można pozyskać w sekretariacie dydaktycznym IMiO).

UWAGA: Dopiero po otrzymaniu informacji zwrotnej z sekretariatu dydaktycznego Instytutu dyplomant zobowiązany jest do umieszczenia pracy w systemie USOS APD

Obrony prac inżynierskich planowane są na luty, natomiast prac magisterskich na marzec.

Egzamin dyplomowy

Od semestru 25Z na egzaminach dyplomowych wykorzystywane będą następujące zestawy pytań:

  1. pytania na egzamin dyplomowy magisterski
  2. pytania na egzamin dyplomowy inżynierski
  3. pytania na egzamin dyplomowy inżynierski dla studentów Ośrodka Kształcenia na Odległość

Pytania dla każdego egzaminowanego będą wybierane przez komisję egzaminacyjną z załączonej listy.

Praca nad pracą dyplomową

Podane poniżej materiały mogą ułatwić proces pisania pracy dyplomowej:

Dodatkowe informacje

Wybór promotorów i tematów prac dyplomowych

Opis procesu dyplomowania na stronie wydziałowej WEiTI

 

 

 

 

 

The origins of the Institute date back to 1929, when Professor Janusz Groszkowski took over the Radio Engineering Division at the Faculty of Electrical Engineering. In its current form, the Institute has existed since 1970. Then, as a result of the merger of three Divisions - Solid State Electronics Division, Electronic Devices Division and High Vacuum Division - the Institute of Electron Technology was created, which in 1987 changed its name to the Institute of Microelectronics and Optoelectronics.

The Institute is located in two buildings: the Electronics Building and the Electrical Engineering Building, where the Faculty of Communication (currently the Faculty of Electronics and Information Technology) began its operations in 1951. Nowadays, the Electrical Engineering Building is the location of the Institute's Technology Center, which consists of laboratories specialized in silicon processing (clean-room), hybrid technologies and assembly techniques, optical fibers, integrated optoelectronics, laser optoelectronics and characterization of new electronic and photonic materials.

The Institute conducts research in the field of technologies constituting the basis of modern electronics and information technology. The development of information technology may be viewed through the prism of four related technologies: data processing, transmission, storage and presentation. In the field of data processing, the observed impressive progress is possible mainly due to rapid development of technologies for designing and manufacturing integrated circuits, i.e., microelectronics, and increasingly also nanoelectronics. Data transfer, which includes fiber optics and laser, and therefore optoelectronics and photonics. Storing an exponentially growing amount of data requires more and more capacious memories, both semiconductor-based as well as optical. This is where microelectronics and optoelectronics are used. Data presentation requires not only various optical systems (optoelectronics), but also appropriate image processing techniques. The development of electronics, which many years ago resulted in the emergence of integrated circuits, is now heading towards systems on a structure, as well as to microsystems integrating knowledge from the fields of materials technology, microelectronics, optoelectronics and photonics. The Institute of Microelectronics and Optoelectronics, to various extent, operates in each of these areas.

The Institute consists of 4 divisions:

 

Początki Instytutu sięgają roku 1929, kiedy to Profesor Janusz Groszkowski założył Katedrę Radiotechniki. W obecnej postaci Instytut istnieje od roku 1970. Wówczas w wyniku połączenia trzech Katedr: Katedry Elektroniki Ciała Stałego, Katedry Przyrządów Elektronowych oraz Katedry Wysokiej Próżni utworzono Instytut Technologii Elektronowej, który w roku 1987 zmienił nazwę na Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Ponadto, Instytut jest związany z początkami Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych poprzez osobę Prof. Groszkowskiego, który pracował w Instytucie aż do śmierci, a także terytorialnie, ponieważ połowa Instytutu mieści się w Budynku Radiotechniki znajdującym się na Terenie Głównym Politechniki Warszawskiej. W tym właśnie budynku usytuowane jest Centrum Fotowoltaiki oraz Centrum Technologiczne Instytutu.

Instytut prowadzi prace badawcze w obszarze technologii stanowiących podstawę współczesnej elektroniki i technik informacyjnych. W uproszczeniu można powiedzieć, że rozwój technik informacyjnych opiera się na czterech technologiach: przetwarzania, przesyłania, przechowywania i prezentacji danych. Imponujący postęp w dziedzinie przetwarzania danych jest możliwy głównie dzięki szybkiemu rozwojowi technologii projektowania oraz wytwarzania układów scalonych, tj. mikroelektroniki, a coraz częściej również nanoelektroniki. Przesyłanie danych, to m.in. światłowody oraz laser, a zatem optoelektronika i fotonika. Przechowywanie lawinowo narastającej liczby danych wymaga coraz pojemniejszych pamięci, zarówno półprzewodnikowych. jak i optycznych. Zastosowanie znajdują tu mikroelektronika i optoelektronika. Do prezentacji danych potrzebne są nie tylko różnorodne układy optyczne (optoelektronika), ale również odpowiednie techniki przetwarzania obrazu. Rozwój elektroniki, który wiele lat temu spowodował pojawienie się układów scalonych, obecnie prowadzi do systemów na strukturze, a także do mikrosystemów integrujących wiedzę, m.in. z dziedziny technologii materiałów, mikroelektroniki, optoelektroniki i fotoniki. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki w większym lub mniejszym stopniu działa w każdym ze wspomnianych obszarów.

Instytut składa się z 4 zakładów:

 

Celem przedmiotu jest przedstawianie szeregu zagadnień związanych z wyzwaniami stojącymi przed współczesną elektroniką i fotoniką. Wszystkie te zagadnienia posiadają ogromny potencjał rozwojowy w perspektywie najbliższych 10-15 lat i ze względu na dynamikę tego procesu będą w kolejnych edycjach uzupełniane i zmieniane. Zapewne będzie to nieuniknione. Przedmiot ten, usytuowany w ostatnim semestrze studiów ma także na celu:

  • pobudzenie wyobraźni rozwojowej słuchaczy – głównie dyplomantów drugiego stopnia,
  • przygotowanie ich do wejścia w nowoczesne tematy, z którymi mogą spotkać się w przyszłości w różnych sytuacjach w trakcie swojej kariery zawodowej i rozumienie podstaw tych zagadnień,
  • tych, którzy zechcą podjąć się realizacji prac doktorskich, wyposażyć w możliwość szerszego spojrzenia na problem i obszary badań naukowych z obszarów elektroniki i fotoniki, a co za tym idzie bardziej świadomy wybór tematyki badawczej w przyszłości.

Wszystkie wykłady prowadzone będą (w różnej formie, nie wyłączając seminaryjnej) przez osoby o znaczących, a nawet wybitnych, w skali międzynarodowej osiągnięciach w tematyce ich wykładów i nie tylko.

Słuchacze tego przedmiotu, w ramach pracy własnej, poza godzinami wykładów, będą mogli sprawdzić swoje możliwości przygotowywania referatów (ok. 15 min., z wybranych, nowych/ oryginalnych zagadnień wg ich propozycji, uzgodnionej z prowadzącym wykład z danego obszaru) i predyspozycje do podejmowania próby rozwiązania problemów o charakterze naukowym. Do tego powinny przygotowywać studia II stopnia.

 

Wykłady w ramach danej tematyki obejmować będą 3 lub 4-ro godzinne kwanty.

W trakcie części wykładowej lub po jej zakończeniu, słuchacze zgłaszają propozycje tematów do samodzielnego opracowania i uzgadniają ten temat z prowadzącym wykład z obszaru tej tematyki.

Zaliczenie przedmiotu następuje zależnie od liczby studentów tj.

  1. w drodze złożenia pisemnego referatu – maksymalnie 3 strony A4 (czcionka 12) i prezentacji swojej pracy na seminarium z udziałem słuchaczy, którzy biorą udział wraz z prowadzącym
  2. w ocenianiu prezentacji (wariant ten ma miejsce gdy liczba słuchaczy nie przekracza 30),
  3. jak w przypadku wariantu a), z tym, że praca może być do 5 stron A4 (czcionka 12) i jest oceniana tylko przez prowadzącego, ewentualnie w drodze kilkuminutowej rozmowy ze słuchaczem, bez prezentacji w trakcie seminarium (wariant ten ma miejsce gdy liczba słuchaczy przekracza 30).

W każdej części wykładu zarysowane zostaną stan i dynamika rozwoju danej tematyki oraz kierunki, bariery i granice tego rozwoju (fizyczne, technologiczne, ekonomiczne) wg bieżącego stanu wiedzy.
Wielkim wyzwaniem stojącym przed prowadzącymi będzie takie ujęcie (treść i forma) danej tematyki, aby była możliwa do percepcji i zrozumienia przez słuchaczy o różnym poziomie (chociaż wciąż uniwersyteckim) przygotowania. Forma wykładów może być w pewnym stopniu zróżnicowana przechodząc od klasycznej do seminaryjno-dyskusyjnej. Wybór tematu referatu końcowego (po akceptacji prowadzącego) zaliczającego przedmiot ma między innymi ukierunkowywać przyszłe zainteresowania słuchaczy i przyczynić się być może do bardziej świadomego wyboru przyszłej ścieżki zawodowej czy zainteresowań badawczych, a nawet tylko hobbystycznych. To także ważny aspekt w kształtowaniu sylwetki naszych absolwentów w końcowej fazie kształcenia.

Sposób opracowania i przedstawienia referatu związanego z zaliczeniem przedmiotu Kierunki Rozwoju Mikroelektroniki i Fotoniki:  

 

Harmonogram zajęć 

Termin zajęć: środa, godzina 18:00 – 20:00

Miejsce zajęć: sala 106, Gmach Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, Warszawa

  1.  Nanofotonika
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Paweł Szczepański, dr inż. Anna Tyszka-Zawadzka
    - 5 października 2022 r.
    - 12 października 2022 r.
    Materiały wykładowe:  
  2. Fotoniczne układu scalone
    Prowadzący: dr hab. inż. Ryszard Piramidowicz, prof. uczelni, dr inż. Stanisław Stopiński
    - 19 października 2022 r.
    Materiały wykładowe:  
  3. Współczesna energoelektronika
    Prowadzący: dr hab. inż. Mariusz Sochacki, prof. dr hab. inż. Jan Szmidt
    - 26 października 2022 r.
    - 2 listopada 2022 r.
    Materiały wykładowe: 
  4. Elektronika elastyczna
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Małgorzata Jakubowska
    - 16 listopada 2022 r.
  5. Technologie krzemowe – z nanometrów w angstremy?
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Tomasz Skotnicki, dr hab. inż. Lidia Łukasiak, prof. uczelni
    - 23 listopada 2022 r.
    - 30 listopada 2022 r.
    Materiały wykładowe: część 1 -  część 2 - 
  6. Elektronika i fotonika kosmiczna
    Prowadzący: dr hab. inż. Piotr Orleański, Centrum Badan Kosmicznych
    - 7 grudnia 2022 r.
    - 14 grudnia 2022 r.
    Materiały wykładowe: część 1 - część 2 -
  7. Obliczenia kwantowe
    Prowadzący: prof. dr hab. Marek Kuś, Centrum Fizyki Teoretycznej
    - 21 grudnia 2022 r.
    - 4 stycznia 2023 r.
  8. Terahertze - skok w niezbadane pasmo?
    Prowadzący: prof. dr hab. Wojciech Knap
    - 11 stycznia 2023 r.
  9. Prezentacje Studentów
    - 18 stycznia 2023 r.
    - 25 stycznia 2023 r.

 

 

 

 

 

Zespół realizujący projekt

Zakład Przyrządów Mikroelektroniki i Nanoelektroniki Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki WEiTI PW:

dr inż. Andrzej Mazurak (charakteryzacja i modelowanie przyrządów półprzewodnikowych)

dr inż. Jakub Jasiński (charakteryzacja i modelowanie przyrządów półprzewodnikowych)

dr hab. inż. Robert Mroczyński, prof. uczelni (technologia i charakteryzacja przyrządów półprzewodnikowych)

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT:

dr inż. Piotr Wiśniewski (modelowanie i technologia przyrządów półprzewodnikowych)

Wydział Inżynierii Materiałowej PW:

dr inż. Tomasz Płociński (zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii elektronowej w badaniu struktury materiałów funkcjonalnych o strukturze nanometrycznej).

 

Streszczenie projektu:

Przyrządy RRAM (ang. Resistive Random Access Memory) są rozpatrywane jako obiecujący kandydat, który mógłby w przyszłości zastąpić produkowane obecnie pamięci półprzewodnikowe. Z uwagi na sposób i dynamikę procesu zapisywania informacji znalazły również zastosowanie przy próbach tworzenia systemów komputerowych nowej generacji tzw. komputerów neuromorficznych (ang. neuromorphic computing). Konstrukcja struktury typu RRAM zakłada zamknięcie warstwy dielektrycznej (lub układu dwóch lub więcej warstw) w warstwach przewodzących, które stanowią elektrody adresujące poszczególne komórki pamięciowe. Pod wpływem polaryzacji elektrycznej możliwa jest kontrola rezystywności warstw pomiędzy elektrodami, a tym samym kodowanie stanów logicznych. Do tej pory zaproponowano i zbadano wiele koncepcji struktur dla pamięci typu RRAM, jednak nadal istnieje szereg problemów niezawodnościowych związanych z szybkością przełączania oraz czasem utrzymywania stanu logicznego (ang. retention) pojedynczych komórek. Niewątpliwie ma to związek z nie do końca poznanym i zbadanym mechanizmem odpowiedzialnym za zmianę rezystancji będącej istotą pracy przyrządu. W ramach niniejszej pracy zostaną zbadane mechanizmy formowania ścieżek prądowych pod wpływem pola elektrycznego oraz mechanizmy transportu ładunków zachodzących w dwóch typach struktur typu MIM (ang. Metal-Insulator-Metal): (1) „klasycznych” struktur bazujących na pojedynczych lub periodycznie ułożonych cienkich materiałach dielektrycznych oraz (2) struktur z wykorzystaniem nanokryształów metalicznych oraz półprzewodnikowych. Przeprowadzona zostanie charakteryzacja elektryczna oraz strukturalna wykonanych i zoptymalizowanych na potrzeby tego projektu struktur testowych. Złożenie tych dwóch odmiennych i niezależnych metod badawczych pozwoli na pełny opis oraz zrozumienie zjawisk zachodzących w trakcie oddziaływania pola elektrycznego na strukturę materiałów i uzyskiwane parametry elektryczne badanych struktur. Projekt zakłada współpracę międzywydziałową (Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych oraz Wydział Inżynierii Materiałowej) oraz współpracę z jednostkami naukowymi z zagranicy. Zdobyta wiedza może pozwolić w przyszłości na podjęcie badań związanych z tematyką neuromorphic computing w kontekście implementacji sprzętowej.

Rysunek: Przekroje poprzeczne badanych struktur typu MIM do zastosowań w pamięciach RRAM.

 

Study on the charge transport mechanisms and filament formation in Metal-Insulator-Metal (MIM) structures

Summary:

keywords: METAL-INSULATOR-METAL, RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY, CHARGE TRANSPORT MECHANISMS, FILAMENT FORMATION, SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS, TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY, SCANNING ELECTRON MICROSCOPY

 

The Resistive Random Access Memory (RRAM) devices are considered as a promising candidate to replace currently commercially available semiconductor memory devices. Due to its resistivity change process accumulative dynamics they are also used to implement the idea of a new generation computing, namely the neuromorphic computing. In the RRAM devices an insulator layer (or a multilayer stack of several insulator layers) is incorporated between the conductive electrodes. One RRAM device forms one memory cell, addressed with the outer electrodes of the device. The resistivity of the insulator layer is controlled by the bias implied to the electrodes, and thus a given logic state may be coded (set or erased). Several concepts of RRAM devices have been proposed and studied, however still there are several reliability issues that need to be addressed, e.g. the ones related to the limited switching speed or the retention time. The crucial subject that still remains not thoroughly understood is the mechanism of the resistivity modulation, which is the operation principle of such devices. In course of this project the effect of the electric field on the filament modulation (creation and reduction), and charge transport processes will be investigated. The study will be conducted for two types MIM (Metal-Insulator-Metal) structures: (1) the “classic” RRAM devices based on single- or periodical multi-layer insulators (several dielectric materials will be considered), and (2) the devices with metallic and semiconductor nanocrystals (NCs) incorporated in the insulator layer. The electrical and structural characterization will be conducted The idea of combining those two different and uncorrelated investigation techniques shall give insight into the effect of the electric field on the material structure and the obtained electrical parameters of the investigated devices. The project assumes the interdepartmental cooperation (the Faculty of Electronics and Information Technology and the Faculty of Material Science and Engineering) and it involves the contribution of foreign scientific units. The knowledge gained with this project may lead in the future to additional studies related to neuromorphic (brain-inspired) computing in the hardware implementation context.

 

Investigation of electrical properties of the Al/SiO2 /n++-Si resistive switching structures by means of static, admittance, and impedance spectroscopy measurements, Wiśniewski P., Jasiński J., Mazurak A., Stonio B., Majkusiak B., Materials, 2021, 14(20), 6042, DOI: 10.3390/ma14206042