- technologia węglika krzemu – utlenianie termiczne, reaktywne trawienie jonowe, kontakty metal/ półprzewodnik;
- wytwarzanie technikami PECVD, ALD oraz rozpylania magnetronowego, obróbka termiczna oraz charakteryzacja warstw dielektrycznych o wysokiej przenikalności elektrycznej;
- charakteryzacja szerokopasmowych materiałów półprzewodnikowych – struktura defektowa, stan powierzchni, złącza, charakteryzację aktywnych elektrycznie defektów w zakresie temperatur kriogenicznych technikami DLTS, TSC;
- projektowanie, modelowanie, wytwarzanie i charakteryzacja przyrządów dużej mocy oraz wielkiej częstotliwości w technologiach półprzewodników szerokopasmowych (SiC, GaN, diament) – diody Schottky’ego, diody PiN, tranzystory MOSFET;
- konstrukcja przekształtników energoelektronicznych z wykorzystaniem przyrządów mocy w technologii SiC oraz GaN;
- wytwarzanie i charakteryzacja heterostruktur oraz przyrządów heterozłączowych do fotodetekcji promieniowania UV, widzialnego, gamma oraz cząstek (ZnO, SiC, GaN, AlN, inne);
- czujniki światłowodowe: współczynnika załamania, ciśnienia, temperatury, biosensory;
- wykorzystanie technik osadzania z fazy gazowej w wytwarzaniu warstw do zastosowań czujnikowych;
- technologia montażu SMD na laminatach sztywnych, półsztywnych, elastycznych, cięcie laserowe szablonów do sitodruku pasty, laminatów sztywnych, elastycznych, podłoży półprzewodnikowych oraz szklanych, badania niezawodnościowe obwodów drukowanych;
- technologia mikromontażu przyrządów półprzewodnikowych.
 |
Kierownik Zakładu Technologii Mikrosystemów i Materiałów Elektronicznych dr hab. inż. Mariusz Sochacki, prof. uczelni tel: (+48) 22 234 7932 e-mail: Gmach Elektrotechniki (GR), p. 423C |
Przejdź do strony zakładu: http://zmime.imio.pw.edu.pl