Uncategorised

Kierunki studiów, na których IMiO prowadzi zajęcia:

Szczegółowy harmonogram wyboru promotorów i tematów prac dyplomowych (zgodnie z infomacją Prodziekana ds. Nauczania WEITI) w bieżącym roku akademickim:

Zgłaszanie przez potencjalnych promotorów propozycji tematów prac dyplomowych (w portalu APD) 10.11-10.12.2022
Potwierdzenie przez kierowników specjalności zgodności tematów prac dyplomowych ze specyfiką specjalności (odkrywanie tematów w portalu APD) 10.11-10.12.2022
Składanie przez studentów deklaracji wyboru instytutu dyplomującego (w portalu USOS-web) 02-15.12.2022
Ogłoszenie wstępnego podziału studentów pomiędzy instytuty dyplomujące (w portalu USOS-web) 16.12.2022
Wybór promotorów i tematów prac dyplomowych (składanie i rozpatrywanie wniosków w portalu APD) 16.12.2022-27.01.2023

 

Szczegóły: Ustalenia dotyczące wyboru promotorów i tematów prac dyplomowych w semestrze zimowym 2022/2023

 

Przewodniki dot. wyboru promotorów oraz wprowadzania tematów prac [akutalizacja 10-01-2023]:

 

 

The origins of the Institute date back to 1929, when Professor Janusz Groszkowski took over the Radio Engineering Division at the Faculty of Electrical Engineering. In its current form, the Institute has existed since 1970. Then, as a result of the merger of three Divisions - Solid State Electronics Division, Electronic Devices Division and High Vacuum Division - the Institute of Electron Technology was created, which in 1987 changed its name to the Institute of Microelectronics and Optoelectronics.

The Institute is located in two buildings: the Electronics Building and the Electrical Engineering Building, where the Faculty of Communication (currently the Faculty of Electronics and Information Technology) began its operations in 1951. Nowadays, the Electrical Engineering Building is the location of the Institute's Technology Center, which consists of laboratories specialized in silicon processing (clean-room), hybrid technologies and assembly techniques, optical fibers, integrated optoelectronics, laser optoelectronics and characterization of new electronic and photonic materials.

The Institute conducts research in the field of technologies constituting the basis of modern electronics and information technology. The development of information technology may be viewed through the prism of four related technologies: data processing, transmission, storage and presentation. In the field of data processing, the observed impressive progress is possible mainly due to rapid development of technologies for designing and manufacturing integrated circuits, i.e., microelectronics, and increasingly also nanoelectronics. Data transfer, which includes fiber optics and laser, and therefore optoelectronics and photonics. Storing an exponentially growing amount of data requires more and more capacious memories, both semiconductor-based as well as optical. This is where microelectronics and optoelectronics are used. Data presentation requires not only various optical systems (optoelectronics), but also appropriate image processing techniques. The development of electronics, which many years ago resulted in the emergence of integrated circuits, is now heading towards systems on a structure, as well as to microsystems integrating knowledge from the fields of materials technology, microelectronics, optoelectronics and photonics. The Institute of Microelectronics and Optoelectronics, to various extent, operates in each of these areas.

The Institute consists of 4 divisions:

 

Początki Instytutu sięgają roku 1929, kiedy to Profesor Janusz Groszkowski założył Katedrę Radiotechniki. W obecnej postaci Instytut istnieje od roku 1970. Wówczas w wyniku połączenia trzech Katedr: Katedry Elektroniki Ciała Stałego, Katedry Przyrządów Elektronowych oraz Katedry Wysokiej Próżni utworzono Instytut Technologii Elektronowej, który w roku 1987 zmienił nazwę na Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Ponadto, Instytut jest związany z początkami Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych poprzez osobę Prof. Groszkowskiego, który pracował w Instytucie aż do śmierci, a także terytorialnie, ponieważ połowa Instytutu mieści się w Budynku Radiotechniki znajdującym się na Terenie Głównym Politechniki Warszawskiej. W tym właśnie budynku usytuowane jest Centrum Fotowoltaiki oraz Centrum Technologiczne Instytutu.

Instytut prowadzi prace badawcze w obszarze technologii stanowiących podstawę współczesnej elektroniki i technik informacyjnych. W uproszczeniu można powiedzieć, że rozwój technik informacyjnych opiera się na czterech technologiach: przetwarzania, przesyłania, przechowywania i prezentacji danych. Imponujący postęp w dziedzinie przetwarzania danych jest możliwy głównie dzięki szybkiemu rozwojowi technologii projektowania oraz wytwarzania układów scalonych, tj. mikroelektroniki, a coraz częściej również nanoelektroniki. Przesyłanie danych, to m.in. światłowody oraz laser, a zatem optoelektronika i fotonika. Przechowywanie lawinowo narastającej liczby danych wymaga coraz pojemniejszych pamięci, zarówno półprzewodnikowych. jak i optycznych. Zastosowanie znajdują tu mikroelektronika i optoelektronika. Do prezentacji danych potrzebne są nie tylko różnorodne układy optyczne (optoelektronika), ale również odpowiednie techniki przetwarzania obrazu. Rozwój elektroniki, który wiele lat temu spowodował pojawienie się układów scalonych, obecnie prowadzi do systemów na strukturze, a także do mikrosystemów integrujących wiedzę, m.in. z dziedziny technologii materiałów, mikroelektroniki, optoelektroniki i fotoniki. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki w większym lub mniejszym stopniu działa w każdym ze wspomnianych obszarów.

Instytut składa się z 4 zakładów:

 

Celem przedmiotu jest przedstawianie szeregu zagadnień związanych z wyzwaniami stojącymi przed współczesną elektroniką i fotoniką. Wszystkie te zagadnienia posiadają ogromny potencjał rozwojowy w perspektywie najbliższych 10-15 lat i ze względu na dynamikę tego procesu będą w kolejnych edycjach uzupełniane i zmieniane. Zapewne będzie to nieuniknione. Przedmiot ten, usytuowany w ostatnim semestrze studiów ma także na celu:

  • pobudzenie wyobraźni rozwojowej słuchaczy – głównie dyplomantów drugiego stopnia,
  • przygotowanie ich do wejścia w nowoczesne tematy, z którymi mogą spotkać się w przyszłości w różnych sytuacjach w trakcie swojej kariery zawodowej i rozumienie podstaw tych zagadnień,
  • tych, którzy zechcą podjąć się realizacji prac doktorskich, wyposażyć w możliwość szerszego spojrzenia na problem i obszary badań naukowych z obszarów elektroniki i fotoniki, a co za tym idzie bardziej świadomy wybór tematyki badawczej w przyszłości.

Wszystkie wykłady prowadzone będą (w różnej formie, nie wyłączając seminaryjnej) przez osoby o znaczących, a nawet wybitnych, w skali międzynarodowej osiągnięciach w tematyce ich wykładów i nie tylko.

Słuchacze tego przedmiotu, w ramach pracy własnej, poza godzinami wykładów, będą mogli sprawdzić swoje możliwości przygotowywania referatów (ok. 15 min., z wybranych, nowych/ oryginalnych zagadnień wg ich propozycji, uzgodnionej z prowadzącym wykład z danego obszaru) i predyspozycje do podejmowania próby rozwiązania problemów o charakterze naukowym. Do tego powinny przygotowywać studia II stopnia.

 

Wykłady w ramach danej tematyki obejmować będą 3 lub 4-ro godzinne kwanty.

W trakcie części wykładowej lub po jej zakończeniu, słuchacze zgłaszają propozycje tematów do samodzielnego opracowania i uzgadniają ten temat z prowadzącym wykład z obszaru tej tematyki.

Zaliczenie przedmiotu następuje zależnie od liczby studentów tj.

  1. w drodze złożenia pisemnego referatu – maksymalnie 3 strony A4 (czcionka 12) i prezentacji swojej pracy na seminarium z udziałem słuchaczy, którzy biorą udział wraz z prowadzącym
  2. w ocenianiu prezentacji (wariant ten ma miejsce gdy liczba słuchaczy nie przekracza 30),
  3. jak w przypadku wariantu a), z tym, że praca może być do 5 stron A4 (czcionka 12) i jest oceniana tylko przez prowadzącego, ewentualnie w drodze kilkuminutowej rozmowy ze słuchaczem, bez prezentacji w trakcie seminarium (wariant ten ma miejsce gdy liczba słuchaczy przekracza 30).

W każdej części wykładu zarysowane zostaną stan i dynamika rozwoju danej tematyki oraz kierunki, bariery i granice tego rozwoju (fizyczne, technologiczne, ekonomiczne) wg bieżącego stanu wiedzy.
Wielkim wyzwaniem stojącym przed prowadzącymi będzie takie ujęcie (treść i forma) danej tematyki, aby była możliwa do percepcji i zrozumienia przez słuchaczy o różnym poziomie (chociaż wciąż uniwersyteckim) przygotowania. Forma wykładów może być w pewnym stopniu zróżnicowana przechodząc od klasycznej do seminaryjno-dyskusyjnej. Wybór tematu referatu końcowego (po akceptacji prowadzącego) zaliczającego przedmiot ma między innymi ukierunkowywać przyszłe zainteresowania słuchaczy i przyczynić się być może do bardziej świadomego wyboru przyszłej ścieżki zawodowej czy zainteresowań badawczych, a nawet tylko hobbystycznych. To także ważny aspekt w kształtowaniu sylwetki naszych absolwentów w końcowej fazie kształcenia.

Sposób opracowania i przedstawienia referatu związanego z zaliczeniem przedmiotu Kierunki Rozwoju Mikroelektroniki i Fotoniki:  

 

Harmonogram zajęć 

Termin zajęć: środa, godzina 18:00 – 20:00

Miejsce zajęć: sala 106, Gmach Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, Warszawa

  1.  Nanofotonika
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Paweł Szczepański, dr inż. Anna Tyszka-Zawadzka
    - 5 października 2022 r.
    - 12 października 2022 r.
    Materiały wykładowe:  
  2. Fotoniczne układu scalone
    Prowadzący: dr hab. inż. Ryszard Piramidowicz, prof. uczelni, dr inż. Stanisław Stopiński
    - 19 października 2022 r.
    Materiały wykładowe:  
  3. Współczesna energoelektronika
    Prowadzący: dr hab. inż. Mariusz Sochacki, prof. dr hab. inż. Jan Szmidt
    - 26 października 2022 r.
    - 2 listopada 2022 r.
    Materiały wykładowe: 
  4. Elektronika elastyczna
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Małgorzata Jakubowska
    - 16 listopada 2022 r.
  5. Technologie krzemowe – z nanometrów w angstremy?
    Prowadzący: prof. dr hab. inż. Tomasz Skotnicki, dr hab. inż. Lidia Łukasiak, prof. uczelni
    - 23 listopada 2022 r.
    - 30 listopada 2022 r.
    Materiały wykładowe: część 1 -  część 2 - 
  6. Elektronika i fotonika kosmiczna
    Prowadzący: dr hab. inż. Piotr Orleański, Centrum Badan Kosmicznych
    - 7 grudnia 2022 r.
    - 14 grudnia 2022 r.
    Materiały wykładowe: część 1 - część 2 -
  7. Obliczenia kwantowe
    Prowadzący: prof. dr hab. Marek Kuś, Centrum Fizyki Teoretycznej
    - 21 grudnia 2022 r.
    - 4 stycznia 2023 r.
  8. Terahertze - skok w niezbadane pasmo?
    Prowadzący: prof. dr hab. Wojciech Knap
    - 11 stycznia 2023 r.
  9. Prezentacje Studentów
    - 18 stycznia 2023 r.
    - 25 stycznia 2023 r.

 

 

 

 

 

Zespół realizujący projekt

Zakład Przyrządów Mikroelektroniki i Nanoelektroniki Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki WEiTI PW:

dr inż. Andrzej Mazurak (charakteryzacja i modelowanie przyrządów półprzewodnikowych)

dr inż. Jakub Jasiński (charakteryzacja i modelowanie przyrządów półprzewodnikowych)

dr hab. inż. Robert Mroczyński, prof. uczelni (technologia i charakteryzacja przyrządów półprzewodnikowych)

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT:

dr inż. Piotr Wiśniewski (modelowanie i technologia przyrządów półprzewodnikowych)

Wydział Inżynierii Materiałowej PW:

dr inż. Tomasz Płociński (zastosowanie zaawansowanych technik mikroskopii elektronowej w badaniu struktury materiałów funkcjonalnych o strukturze nanometrycznej).

 

Streszczenie projektu:

Przyrządy RRAM (ang. Resistive Random Access Memory) są rozpatrywane jako obiecujący kandydat, który mógłby w przyszłości zastąpić produkowane obecnie pamięci półprzewodnikowe. Z uwagi na sposób i dynamikę procesu zapisywania informacji znalazły również zastosowanie przy próbach tworzenia systemów komputerowych nowej generacji tzw. komputerów neuromorficznych (ang. neuromorphic computing). Konstrukcja struktury typu RRAM zakłada zamknięcie warstwy dielektrycznej (lub układu dwóch lub więcej warstw) w warstwach przewodzących, które stanowią elektrody adresujące poszczególne komórki pamięciowe. Pod wpływem polaryzacji elektrycznej możliwa jest kontrola rezystywności warstw pomiędzy elektrodami, a tym samym kodowanie stanów logicznych. Do tej pory zaproponowano i zbadano wiele koncepcji struktur dla pamięci typu RRAM, jednak nadal istnieje szereg problemów niezawodnościowych związanych z szybkością przełączania oraz czasem utrzymywania stanu logicznego (ang. retention) pojedynczych komórek. Niewątpliwie ma to związek z nie do końca poznanym i zbadanym mechanizmem odpowiedzialnym za zmianę rezystancji będącej istotą pracy przyrządu. W ramach niniejszej pracy zostaną zbadane mechanizmy formowania ścieżek prądowych pod wpływem pola elektrycznego oraz mechanizmy transportu ładunków zachodzących w dwóch typach struktur typu MIM (ang. Metal-Insulator-Metal): (1) „klasycznych” struktur bazujących na pojedynczych lub periodycznie ułożonych cienkich materiałach dielektrycznych oraz (2) struktur z wykorzystaniem nanokryształów metalicznych oraz półprzewodnikowych. Przeprowadzona zostanie charakteryzacja elektryczna oraz strukturalna wykonanych i zoptymalizowanych na potrzeby tego projektu struktur testowych. Złożenie tych dwóch odmiennych i niezależnych metod badawczych pozwoli na pełny opis oraz zrozumienie zjawisk zachodzących w trakcie oddziaływania pola elektrycznego na strukturę materiałów i uzyskiwane parametry elektryczne badanych struktur. Projekt zakłada współpracę międzywydziałową (Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych oraz Wydział Inżynierii Materiałowej) oraz współpracę z jednostkami naukowymi z zagranicy. Zdobyta wiedza może pozwolić w przyszłości na podjęcie badań związanych z tematyką neuromorphic computing w kontekście implementacji sprzętowej.

Rysunek: Przekroje poprzeczne badanych struktur typu MIM do zastosowań w pamięciach RRAM.

 

Study on the charge transport mechanisms and filament formation in Metal-Insulator-Metal (MIM) structures

Summary:

keywords: METAL-INSULATOR-METAL, RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY, CHARGE TRANSPORT MECHANISMS, FILAMENT FORMATION, SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS, TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY, SCANNING ELECTRON MICROSCOPY

 

The Resistive Random Access Memory (RRAM) devices are considered as a promising candidate to replace currently commercially available semiconductor memory devices. Due to its resistivity change process accumulative dynamics they are also used to implement the idea of a new generation computing, namely the neuromorphic computing. In the RRAM devices an insulator layer (or a multilayer stack of several insulator layers) is incorporated between the conductive electrodes. One RRAM device forms one memory cell, addressed with the outer electrodes of the device. The resistivity of the insulator layer is controlled by the bias implied to the electrodes, and thus a given logic state may be coded (set or erased). Several concepts of RRAM devices have been proposed and studied, however still there are several reliability issues that need to be addressed, e.g. the ones related to the limited switching speed or the retention time. The crucial subject that still remains not thoroughly understood is the mechanism of the resistivity modulation, which is the operation principle of such devices. In course of this project the effect of the electric field on the filament modulation (creation and reduction), and charge transport processes will be investigated. The study will be conducted for two types MIM (Metal-Insulator-Metal) structures: (1) the “classic” RRAM devices based on single- or periodical multi-layer insulators (several dielectric materials will be considered), and (2) the devices with metallic and semiconductor nanocrystals (NCs) incorporated in the insulator layer. The electrical and structural characterization will be conducted The idea of combining those two different and uncorrelated investigation techniques shall give insight into the effect of the electric field on the material structure and the obtained electrical parameters of the investigated devices. The project assumes the interdepartmental cooperation (the Faculty of Electronics and Information Technology and the Faculty of Material Science and Engineering) and it involves the contribution of foreign scientific units. The knowledge gained with this project may lead in the future to additional studies related to neuromorphic (brain-inspired) computing in the hardware implementation context.

 

Investigation of electrical properties of the Al/SiO2 /n++-Si resistive switching structures by means of static, admittance, and impedance spectroscopy measurements, Wiśniewski P., Jasiński J., Mazurak A., Stonio B., Majkusiak B., Materials, 2021, 14(20), 6042, DOI: 10.3390/ma14206042

 

aaaaa

 Śp. Prof. dr inż. Wojciech Paweł MAŁY
* 5 stycznia 1946 r. – † 20 grudnia 2021 r.

wybitny nauczyciel akademicki Politechniki Warszawskiej
i Carnegie Mellon University w Pittsburgu,
światowej rangi uczony w dziedzinie mikroelektroniki

Profesor był pionierem, autorem nowatorskich idei i przełomowych publikacji w zakresie projektowania układów scalonych. Doradcą i konsultantem wiodących na świecie laboratoriów badawczych uniwersyteckich oraz firm produkujących najbardziej zaawansowane technologicznie systemy scalone. Po ukończeniu studiów na Wydziale Elektroniki Politechniki Warszawskiej w 1970 r. rozpoczął działalność zawodową w Instytucie Cybernetyki Stosowanej PAN w Warszawie, a od 1973 r. pracował na Politechnice Warszawskiej, gdzie przez niemal pół wieku nieprzerwanie związany był z Instytutem Mikroelektroniki i Optoelektroniki (dawniej Technologii Elektronowej), zwłaszcza z Zespołem/Zakładem Metod Projektowania w Mikroelektronice (formalnie był zatrudniony w latach 1973-94 oraz 2015-17). W 1996 r. Prezydent RP nadał mu tytuł naukowy profesora w dziedzinie elektroniki. Działalność na Carnegie Mellon University w Pittsburghu, USA podjął w okresie 1979-81 jako visiting assistant professor, a następnie był zatrudniony od 1983 do 2015 w Department of Electrical and Computer Engineering jako profesor (od 1990 r. jako full professor), a także co-director centrum badawczego SEMATECH Center of Excellence CMU. Uzyskał też zaszczytną pozycję Whitaker Chair Professor.

Będąc z wykształcenia inżynierem automatykiem stał się ekspertem w dziedzinie technologii mikroelektronicznych. Kluczowe dla rozwoju mikroelektroniki były jego prace dotyczące zaburzeń procesów produkcyjnych w mikroelektronice: uzależnienia uzysku produkcyjnego od losowych rozrzutów parametrów procesów oraz od defektów, projektowania układów pod kątem minimalizacji wpływu rozrzutów i defektów na uzysk produkcyjny (design for manufacturability), strategii testowania układów pod kątem obserwowalności defektów. Prace te łączył z analizami ekonomii produkcji układów scalonych. Jego działalność obejmowała jednak znacznie szerszy obszar. Zajmował się m.in. automatyzacją projektowania topografii układów scalonych, przewidywał drogi rozwoju mikroelektroniki w kierunku układów wielkoskalowych (wafer scale integration) oraz układów 2,5D i 3D, a od kilkunastu lat pracował nad nowatorską technologią układów scalonych VESTIC, której był autorem.

Dorobek publikacyjny Prof. W. Małego jest imponujący: obejmuje przełomowe artykuły w najbardziej prestiżowych czasopismach, plenarne referaty na najpoważniejszych konferencjach oraz patenty i książki, których był autorem lub współautorem. Jego publikacje w czasopismach i na konferencjach wielokrotnie uzyskiwały nagrody – Best Paper Awards. Był członkiem komitetów programowych i/lub sterujących wielu najwyższej rangi konferencji międzynarodowych, np.: IEEE VLSI Test Symposium, European Design Automation Conference, IEEE International Conference on Computer Aided Design,
CSI/IEEE International Symposium on VLSI Design, VLSI Education Conference & Exposition, IEEE International Workshop on Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems (General Chairman), oraz członkiem komitetów redakcyjnych czasopism: Associate Editor of IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing, członek Editorial Board of Journal of Electronic Testing: Theory and Application, Consulting Editor for VLSI w wydawnictwie CRC Press.

Nagrody otrzymywał nie tylko za publikacje. Był laureatem m. in.: nagród Rektora Politechniki Warszawskiej i nagrody Ministerstwa Szkolnictwa Wyższego za osiągnięcia badawcze, nagród Technical Excellence Award przyznanych przez Semiconductor Research Corporation za wkład w rozwój produkcji półprzewodników. Otrzymał godność IEEE Fellow (1990), był członkiem IEEE Awards Board Committee, IEEE Circuit and System Society Representative in IEEE Solid State Council, IEEE Circuit and System Society VLSI Committee, otrzymał też Deutsche Forschungsgemeinschaft Fellowship.

O wsparcie i doradztwo Prof. W. Małego ubiegały się zarówno uniwersyteckie laboratoria badawcze jak i czołowe firmy mikroelektroniczne produkujące najbardziej zaawansowane technologicznie systemy scalone. W szczególności współpracował z Politechniką w Monachium, Instytutem Fraunhofera w Niemczech, laboratoriami Siemens Corporate Research and Development, National Semiconductor VLSI Research Lab., Fairchild Research Lab., Politechniką w Eindhoven, a także Naukowo-Produkcyjnym Centrum CEMI w Warszawie. Był doradcą Dyrektora ds. Technologii w Philips Semiconductor (R&D Philips
Fabline w Nijmegen), konsultantem w National Semiconductor, General Motors, Knights Technology, Inc. (Palo Alto). Był członkiem komitetów doradczych w Advantest Inc. oraz Cadence Design System; przewodniczył Advisory Board of PDF Solutions Inc.

Prof. W Mały jest autorem koncepcji nowatorskiej konstrukcji układów scalonych VESTIC (Vertical-Slit Transistor based Integrated Circuits), alternatywnej dla istniejących technologii CMOS, mającej potencjał przezwyciężenia szeregu barier w rozwoju mikroelektroniki. W prace badawczo-rozwojowe dotyczące tej technologii Prof. W. Mały zaangażował kilka ośrodków na świecie, w tym jako pierwszy – zespół w Zakładzie Metod Projektowania w Mikroelektronice IMiO PW.

Należy dodać, że przez cały czas pracy na CMU, Prof. W Mały bezinteresownie wspierał rozwój kadry i działalności badawczej w obszarze projektowania układów scalonych na Politechnice Warszawskiej. W czasach, kiedy dostęp do literatury był utrudniony, dostarczał artykuły, monografie i podręczniki, wspierał sprzętowo. Służył konsultacjami, był nieocenionym doradcą, wspomagał kształtowanie kierunków prac w Zakładzie Metod Projektowania w Mikroelektronice. Na szczególne podkreślenie zasługuje opieka naukowa i organizowanie dla wielu pracowników Politechniki Warszawskiej staży naukowych i naukowo-dydaktycznych na CMU, a także staży doktoranckich na CMU i w PDF Solutions.

Prof. W Mały był wybitnym nauczycielem akademickim, wychowawcą wielu pokoleń inżynierów elektroników i kadr naukowych. Wyrazem uznania dla jego wykładów, projektów oraz opieki nad dyplomantami i doktorantami były takie nagrody jak: nagrody Rektora Politechniki Warszawskiej czy Ministra Szkolnictwa Wyższego, AT&T Foundation Award for Excellence in Instruction of Engineering Students, Carnegie Mellon Benjamin Richard Teare Teaching Award, Eta Kappa Nu CMU Sigma Chapter Excellence in Teaching Award czy prestiżowa nagroda Aristotle Award od Semiconductor Research Corporation (2007) w uznaniu pionierskich metod nauczania i przełomowych badań w branży półprzewodnikowych układów scalonych.

W opinii studentów i współpracowników wkład Prof. W Małego w rozwój technologii mikroelektronicznych i wpływ, jaki miał jako nauczyciel i mentor na wiele osób w społeczności mikroelektroników, jest nie do przecenienia. Jego wizja i pomysły są dziś częścią tkanki tej dziedziny.

Ze smutkiem żegnamy Wielkiego Uczonego. W naszej pamięci pozostanie nie tylko jako Wybitny Profesor, ale również nieodżałowany Przyjaciel wielu z nas.

 

Z głębokim żalem żegnamy
Ś.P.
Profesora dr. inż. WOJCIECHA P. MAŁEGO
zm. 20 grudnia 2021 r.

wybitnego nauczyciela akademickiego Politechniki Warszawskiej i Carnegie Mellon University w Pittsburgu, wychowawcę wielu pokoleń inżynierów elektroników i kadr naukowych, światowej rangi uczonego w dziedzinie mikroelektroniki.

Profesor był pionierem, autorem nowatorskich idei i przełomowych publikacji w zakresie projektowania układów scalonych. Był twórcą koncepcji symulacji statystycznej procesów produkcyjnych, strategii projektowania i testowania układów, a także unikatowej konstrukcji układów scalonych VESTIC. Był doradcą i konsultantem wiodących na świecie laboratoriów badawczych uniwersyteckich oraz firm mikroelektronicznych, produkujących najbardziej zaawansowane technologicznie systemy scalone.

Łączymy się w smutku z Żoną i Córką Profesora

współpracownicy, wychowankowie i przyjaciele
z Zakładu Metod Projektowania w Mikroelektronice
Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej

 

 

 

Nabożeństwo żałobne odbędzie się w dniu 18 stycznia 2022 r. o godz. 1315 w Kościele Św. Jozafata przy ul. Powązkowskiej 90, po którym nastąpi odprowadzenie na Cmentarz Wojskowy przy ul. Powązkowskiej 43/45 w Warszawie.

 

Szczegółowy opis tematów znajduje się na stronie http://neptun.elka.pw.edu.pl:8080/elkaDyplom/

 

Tematy prac inżynierskich

Temat pracy Opiekun pracy
Krzemowe struktury czujnikowe dla potrzeb detekcji czynników chemicznych (możliwość kontynuacji temtyki na studiach II stopnia) Romuald Beck
Ocena niezawodności wytworzonych w IMiO PW struktur EEPROM z pływającą branką (typu flash) - (możliwość kontynuacji tematu na studiach II stopnia) Romuald Beck
Wytwarzanie struktur pamięciowych EEPROM z pływającą b(ramką (typu flash) - (możliwość kontynuacji tematu na studiach II stopnia) Romuald Beck
Opracowanie i charakteryzacja głowicy czujników oblodzenia dla samolotów z silnikiem odrzutowym Michał Borecki
Opracowanie konstrukcji modułów elektronicznych filtrów i detektorów RMS. Michał Borecki
Opracowanie konstrukcji przetworników optoelektronicznych przeznaczonych do detekcji światła modulowanego. Michał Borecki
Opracowanie układów źródła LED modulowanego sygnałem sinusoidalnym Michał Borecki
Platforma IoT - analza wydajnosci energetycznej układu czujnika z nadajnikiem bezprzewodowym Michał Borecki
Wytwarzanie cienkich warstw dielektrycznych na przewężkach światłowodowych Piotr Firek
Wytwarzanie cienkich warstw przewodzących na przewężkach światłowodowych Piotr Firek
Wytwarzanie metalizacji na potrzeby wielozłączowych ogniw słonecznych Piotr Firek
Adaptacyjne metody filtracji danych THz Piotr Garbat
Adaptacyjne metody wyostrzania i odszumiania obrazów. (dekonwolucja) z wykorzystaniem biblioteki CUDA Piotr Garbat
Analiza obrazów wielospektralnych- HSI. Piotr Garbat
Implementacja algorytmów przetwarzania obrazów „polaryzacyjnych” Piotr Garbat
Implementacja algorytmów przetwarzania obrazów „polaryzacyjnych” dla systemów wbudowanych opartych na architekturze ARM Piotr Garbat
Implementacja sprzętowa algorytmów przetwarzania obrazów „polaryzacyjnych” Piotr Garbat
Implementacja sprzętowa algorytmu przetwarzania obrazów prążkowych Piotr Garbat
Pomiar kształtu z wykorzystaniem metod światła strukturyzowanego i analizy polaryzacji Piotr Garbat
Przetwarzanie i analiza obrazów multispektralnych Piotr Garbat
Przetwarzanie obrazów wielomodalnych Piotr Garbat
Przetwarzanie obrazów w technikach Background-Oriented Schlieren (BOS) Piotr Garbat
Segmentacja obrazów terahercowych Piotr Garbat
Stereowizyjny, wielomodalny system rejestracji obrazu Piotr Garbat
Wielokamerowy układ akwizycji wideo Piotr Garbat
Wieloprojektorowy układ wyświetlania obrazu Piotr Garbat
Stanowisko do badań charakterystyk emisyjnych - projekt i realizacja Marcin Piotr Kaczkan
Stanowisko do badań rozdzielczych w czasie charakterystyk emisyjnych - projekt i realizacja Marcin Piotr Kaczkan
Korekcja rezystorów grubowarstwowych Jerzy Kalenik
Badania technologii montażu diod GaN do podłoży DBC Ryszard Kisiel
Wykorzystanie lutowania dyfuzyjnego do montażu półprzewodników szerokoprzerwowych (SiC oraz GaN) Ryszard Kisiel
Opracowanie metody pomiaru ferroelektryków w rezonatorach cylindrycznych TE01n Jerzy Krupka
Oporgramowanie stanowiska pomiarowego do charakteryzacji struktur półprzewodnikowych Krystian Król
Symulacja charakterystyk prądowo-napięciowych diod Schottky'ego z azotku galu Lidia Łukasiak
Symulacja przebicia diod Schottky'ego z azotku galu Lidia Łukasiak
Charakteryzacja struktury metal-izolator-półprzewodnik na podstawie pomiaru prądu tunelowego Fowlera-Nordheima Bogdan Majkusiak
Bezprzewodowy moduł pomiarowy do szybkich pomiarów wilgotności Michał Marek Marzęcki
Analiza własności kryształów fotonicznych na bazie TiO2 Agnieszka Mossakowska-Wyszyńska
Nanokryształy krzemowe w strukturach elektronicznych i fotonicznych - technologia i aplikacje Robert Paweł Mroczyński
Struktury bazujące na materiałach dwuwymiarowych - technologia i charakteryzacja. Robert Paweł Mroczyński
Technologia i charakteryzacja struktur bazujących na materiałach dwuwymiarowych Robert Paweł Mroczyński
Detekcja i klasyfikacja dźwięków charakterystycznych Grzegorz Krzysztof Nieradka
Projekt komórki pamięci dynamicznej RAM zbudowanej z bezzłączowych dwubramkowych tranzystorów o nowej konstrukcji „3D” (VeSFET) Andrzej Pfitzner
Projekt piksela aktywnego z fotodiodą w układach o nowej konstrukcji „3D” Andrzej Pfitzner
Projekt przerzutnika Schmidta z wykorzystaniem bezzłączowych dwubramkowych tranzystorów o nowej konstrukcji „3D” (VeSFET) Andrzej Pfitzner
Wykorzystanie sterowania napięciem progowym dwubramkowych tranzystorów o nowej konstrukcji „3D” (VeSFET) do rekonfiguracji układu Andrzej Pfitzner
Mikropaskowy pasmowo-przepustowy pseudo-eliptyczny filtr w paśmie L Jerzy Piotrowski
Planarny przesuwnik fazy z metamateriałem Jerzy Piotrowski
Sprzęgacz gałęziowy zawierający linie metamateriałowe Jerzy Piotrowski
Analiza architektur układów źródła napięcia odniesienia typu Bandgap Witold Pleskacz
Implementacja modelu jednostki zarządzania pamięcią systemową SMMU (System Memory Management Unit) w języku SystemVerilog Witold Pleskacz
Implementacja oscylatora kontrolowanego cyfrowo Witold Pleskacz
Implementacja tablicy LUT (Look Up Table) w języku Verilog Witold Pleskacz
Implementacja układu zasilania dla scalonych systemów elektronicznych w technologii CMOS 130 nm Witold Pleskacz
Optymalizacja konstrukcji językowych w modelach cyfrowych bloków funkcjonalnych w języku Verilog HDL pod kątem syntezy logicznej Witold Pleskacz
Scalony generator przestrajany napięciem w technologii TSMC 180 nm Witold Pleskacz
Scalony przetwornik cyfrowo-analogowy w technologii TSMC 180 nm Witold Pleskacz
Scalony układ napięcia odniesienia w technologii TSMC 180 nm Witold Pleskacz
Sprzętowy blok bufora śledzenia instrukcji (trace buffer) dla procesora o architekturze RISC-V Witold Pleskacz
Sprzętowy blok jednostki diagnostycznej (debugger) dla procesora o architekturze RISC-V Witold Pleskacz
Implementacja przetwornika czasowo-cyfrowego (TDC) wykorzystujący generator pierścieniowy dla układu całkowicie cyfrowej pętli synchronizacji fazowej (ADPLL) Krzysztof Siwiec
Implementacja przetwornika czasowo-cyfrowego (TDC) wykorzystujący interpolację fazy i przetwornik analogowo-cyfrowy dla układu całkowicie cyfrowej pętli synchronizacji fazowej (ADPLL) Krzysztof Siwiec
Implementacja scalonego generatora przestrajanego cyfrowo (DCO) Krzysztof Siwiec
Implementacja scalonego generatora RC dla układu zegara czasu rzeczywistego (RTC) Krzysztof Siwiec
Implementacja scalonego generatora RC do generacji sygnału zegarowego mikroprocesora Krzysztof Siwiec
Model całkowicie cyfrowego ułamkowego syntezera częstotliwości w języku Verilog AMS Krzysztof Siwiec
Mikrofalowy pomiar wilgotności materiałów metodą transmisyjną Jerzy Skulski
Interferometryczny żyroskop światłowodowy Stanisław Tomasz Stopiński
Stanowisko pomiarowe do badań żyroskopów optycznych Stanisław Tomasz Stopiński
Optyczny czujnik smogu Mariusz Jarosław Suchenek
Badanie jakości konwersji obrazów zapisanych w formacie typu RAW Marek Sutkowski
Badanie jakości konwersji obrazów zapisanych w formacie typu RAW Marek Sutkowski
Opracowanie modułu kalibracji kolorymetrycznej wyświetlaczy obrazu Marek Sutkowski
Opracowanie stanowiska do zautomatyzowanego pomiaru rozdzielczości statycznej wyświetlaczy obrazu (kont. na stopniu II) Marek Sutkowski
Wirtualne środowisko do symulacji procesu rejestracji obrazu Marek Sutkowski
Wykonanie układu ruchu obiektywu Marek Sutkowski
Zautomatyzowane środowisko pomiarów kolorymetrycznych niewielkich obiektów Marek Sutkowski
Zautomatyzowane stanowisko rejestracji obrazów z wykorzystaniem techniki FS Marek Sutkowski
Analiza elektrofizycznych właściwości warstw grafenowych Jan Szmidt
Analiza właściwości dielektryków o wysokiej przenikalności elektrycznej wytwarzanych na podłożach z węglika krzemu metodą ALD. Jan Szmidt
Charakteryzacja elektryczna heterostruktur półprzewodnikowych ZnO/4H-SiC Jan Szmidt
Charakteryzacja struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych metodą prądów wzbudzanych termicznie (TSC) Jan Szmidt
Charakteryzacja tranzystorów MISFET SiC przy użyciu metody pompowania ładunku (charge pumping) Jan Szmidt
Elementy technologii wytwarzania diod półprzewodnikowych mocy Jan Szmidt
Elementy technologii wytwarzania ogniw słonecznych wysokiej sprawności Jan Szmidt
Podstawy fizyczne i technologiczne integracji materiałów półprzewodnikowych Jan Szmidt
Reaktywne trawienie jonowe w plazmie chlorowej w technologii przyrządów półprzewodnikowych Jan Szmidt
Technologia cienkich warstw na potrzeby zintegrowanych układów opto-mikroelektronicznych Jan Szmidt
Technologia struktur na podłożu SiC z warstwami amorficznymi i polikrystalicznymi SiC Jan Szmidt
Technologie grubowarstwowe na potrzeby elastycznej elektroniki Jan Szmidt
Warunki łączenia materiałów na potrzeby elektroniki zintegrowanej Jan Szmidt
Wytwarzanie i charakteryzacja transparentnych kontaktów omowych do węglika krzemu na bazie cienkich warstw tlenku cynku (ZnO). Jan Szmidt
Zastosowania dielektryków o wysokiej przenikalności elektrycznej wytwarzanych metodą ALD w technologii węglika krzemu Jan Szmidt
Projekt i realizacja centrali zarządzającej węzłami sterująco-pomiarowymi w inteligentnym domu Sławomir Szostak
Projekt i realizacja centrali zarządzającej węzłami sterująco-pomiarowymi w inteligentnym domu Sławomir Szostak
Projekt i realizacja graficznego interfejsu użytkownika wykorzystującego moduły typu SOM (system on module) do sterowania systemami mikroprocesorowymi Sławomir Szostak
Projekt i realizacja mikroprocesorowego generatora sygnałów akustycznych Sławomir Szostak
Badanie możliwości wykorzystania nanostruktur diamentowych do realizacji światłowodowych układów biosensorycznych Mateusz Jakub Śmietana
Charakteryzacja światłowodowych struktur czujnikowych opartych na nanometrycznych warstwach transparantnych optycznie i przewodzących elektrycznie Mateusz Jakub Śmietana
Cienkie warstwy tlenków metali wytwarzane techniką rozpylania magnetronowego na potrzeby czujników światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Czujniki światłowodowe realizowane w wariancie odbiciowym do badania właściwości cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Interferometry światłowodowe do zastosowań w badaniach cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Oddziaływania elektro-optyczne w z materiałach ciekłokrystalicznych badane z użyciem czujników światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie interfejsu użytkownika do stanowiska reaktywnego rozpylania magnetronowego Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie technologii wytwarzania nanorezonatorów Fabry-Perot na potrzeby czujników światłowodowych do badania cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie technologii wytwarzania nanowarstwowych struktur interferometrycznych na potrzeby czujników światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie układów czujnikowych opartych na nanostrukturyzowanej powierzchni na potrzeby realizacji analiz biosensorycznych Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie układów mikrownękowych na potrzeby wysokoczułego pomiaru współczynnika załamania cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Opracowanie uniwersalnej celki pomiarowej do badania cieczy z użyciem czujników światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Optymalizacja czułości struktur światłowodowych z wykorzystaniem technik głębokiego trawienia Mateusz Jakub Śmietana
Pomiar oddziaływań biologicznych z wykorzystaniem czujników światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Sondy elektrochemiczne z jednoczesnym pomiarem optycznych właściwości cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Struktury oparte na światłowodach typu "D" z pokryciami nanometrycznej grubości do badania cieczy Mateusz Jakub Śmietana
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw azotu i tlenku-azotu krzemu na potrzeby czujnikowych struktur światłowodowych Mateusz Jakub Śmietana
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw diamentopodobnych domieszkowanych azotem na potrzeby zastosowań czujnikowych Mateusz Jakub Śmietana
Badanie właściwości propagacyjnych struktur falowodowych wykonanych na bazie metamateriału hiperbolicznego Anna Tyszka-Zawadzka
Ogranicznik mocy optycznej wykonany z metamateriału hiperbolicznego Anna Tyszka-Zawadzka
Właściwości dyspersyjne metamateriałów hiperbolicznych Anna Tyszka-Zawadzka
Rozwiązanie równań transportu dla struktury tranzystora MOS z wykorzystaniem technologii programowania CUDA Jakub Walczak
Opracowanie w środowisku LabVIEW aplikacji obsługującej pomiary półprzewodnikowych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Piotr Warda
Opracowanie w środowisku LabVIEW aplikacji obsługującej pomiary wyładowczych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Piotr Warda
Pomiar szybkości odpowiedzi fotodetektorów na bazie heterostruktury ZnO/SiC Aleksander Werbowy
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw dielektrycznych o wysokiej przenikalności elektrycznej pod kątem zastosowań w technologii węglika krzemu Aleksander Werbowy
Modele HDL wybranych architektur sterowników rozmytych wykorzystujących macierze FAM Andrzej Wielgus
Opracowanie symulatora systemów rozmytych z wykorzystaniem symulacji mieszanej w środowiskach CADENCE oraz Matlab/Simulink Andrzej Wielgus
Projekt układu realizującego algorytm szyfrowania AES Andrzej Wielgus
Projekt układu realizującego algorytm szyfrowania Twofish Andrzej Wielgus
Projekt układu realizującego szyfrowanie i uwierzytelnianie w trybie CCM Andrzej Wielgus
Generacja siatek dyskretyzacyjnych dla topografii układu scalonego Adam Wojtasik

 

Tematy prac magisterskich

Temat pracy Opiekun pracy
Wpływu parametrów wytwarzania membrany TiO2 w strukturach ISFET na detekcję nanocząstek srebra Piotr Firek
Identyfikacja obiektów w zobrazowaniu radarowym SAR z wykorzystaniem głębokich sieci neuronowych DCNN Artur Gromek
Wykrywanie obiektów w obrazie radarowym SAR z wykorzystaniem detektora CFAR Artur Gromek
Właściwości emisyjne kryształu Y4Al2O9 (YAM) domieszkowanego jonami lantanowców Marcin Piotr Kaczkan
Właściwości emisyjne nanoproszków BaTiO3 domieszkowanych jonami ziem rzadkich Marcin Piotr Kaczkan
Algorytmy optymalizacji układów analogowych Dominik Krzysztof Kasprowicz
Metody diagnostyki analogowych układów scalonych Dominik Krzysztof Kasprowicz
Katalog charakterystyk pojemnościowo-napięciowych struktur metal-izolator-półprzewodnik Bogdan Majkusiak
Wpływ stanu fizycznego otoczenia na charakterystyki pojemnościowo-napięciowe struktury metal-izolato-półprzewodnik Bogdan Majkusiak
Analiza generacji promieniowania w laserze DBR z nieliniową strukturą PT wykazującą parzystą symetrię Agnieszka Mossakowska-Wyszyńska
Opracowanie technologii samocentrującej oraz charakteryzacja struktur testowych MOSFET Robert Paweł Mroczyński
Struktury nanoelektroniczne z nanokryształami krzemowymi - projekt, technologia, charakteryzacja, zastosowania Robert Paweł Mroczyński
Wytwarzanie struktur MIS/MISFET z podwójną lub potrójną warstwą dielektryka bramkowego dla zastosowań w nieulotnych pamięciach półprzewodnikowych (NVSM) Robert Paweł Mroczyński
Badanie metod projektowania nanometrowych układów scalonych dla potrzeb komunikacji bezprzewodowej (np. HSPA, LTE-Advanced, WiMAX, GSM, Bluetooth, WiFi, ZigBee) Witold Pleskacz
Implementacja wybranych funkcjonalności oprogramowania wbudowanego dla dedykowanego mikrokontrolera Witold Pleskacz
Projektowanie układów scalonych w nanometrowych i submikrometrowych technologiach CMOS Witold Pleskacz
Sprzętowa implementacja wybranej funkcjonalności mikroprocesorowego systemu cyfrowego Witold Pleskacz
Analiza stanu powierzchni SiC po procesach reaktywnego trawienia jonowego Jan Szmidt
Badanie właściwości warstw diamentopodobnych osadzanych na podłożu SiC Jan Szmidt
Charakteryzacja tranzystorów MISFET SiC przy użyciu metody pompowania ładunku (charge pumping) Jan Szmidt
Modelowanie i badanie wpływu metody zakończenia złącza Schottky’ego na parametry elektryczne diod wytwarzanych na podłożu SiC Jan Szmidt
Podstawy fizyczne i technologiczne integracji materiałów półprzewodnikowych Jan Szmidt
Technologia cienkich warstw na potrzeby zintegrowanych układów opto-mikroelektronicznych Jan Szmidt
Wytwarzanie i charakteryzacja elektryczna złącza p – n wytwarzanego w technologii SiC Jan Szmidt
Badanie wpływu geometrii anody na napięcie przebicia wysokonapięciowych diod Schottky'ego w technologii węglika krzemu Aleksander Werbowy
Wspomagane komputerowo projektowanie wysokonapięciowych diod Schottky'ego w technologii węglika krzemu Aleksander Werbowy
Wytwarzanie i charakteryzacja fotodetektorów UV na bazie heterostruktury ZnO/SiC Aleksander Werbowy