• technologia węglika krzemu – utlenianie termiczne, reaktywne trawienie jonowe, kontakty metal/ półprzewodnik;
  • wytwarzanie technikami PECVD, ALD oraz rozpylania magnetronowego, obróbka termiczna oraz charakteryzacja warstw dielektrycznych o wysokiej przenikalności elektrycznej;
  • charakteryzacja szerokopasmowych materiałów półprzewodnikowych – struktura defektowa, stan powierzchni, złącza, charakteryzację aktywnych elektrycznie defektów w zakresie temperatur kriogenicznych technikami DLTS, TSC;
  • projektowanie, modelowanie, wytwarzanie i charakteryzacja przyrządów dużej mocy oraz wielkiej częstotliwości w technologiach półprzewodników szerokopasmowych (SiC, GaN, diament) – diody Schottky’ego, diody PiN, tranzystory MOSFET;
  • konstrukcja przekształtników energoelektronicznych z wykorzystaniem przyrządów mocy w technologii SiC oraz GaN;
  • wytwarzanie i charakteryzacja heterostruktur oraz przyrządów heterozłączowych do fotodetekcji promieniowania UV, widzialnego, gamma oraz cząstek (ZnO, SiC, GaN, AlN, inne);
  • czujniki światłowodowe: współczynnika załamania, ciśnienia, temperatury, biosensory;
  • wykorzystanie technik osadzania z fazy gazowej w wytwarzaniu warstw do zastosowań czujnikowych;
  • technologia montażu SMD na laminatach sztywnych, półsztywnych, elastycznych, cięcie laserowe szablonów do sitodruku pasty, laminatów sztywnych, elastycznych, podłoży półprzewodnikowych oraz szklanych, badania niezawodnościowe obwodów drukowanych;
  • technologia mikromontażu przyrządów półprzewodnikowych.

 

Kierownik Zakładu Technologii Mikrosystemów i Materiałów Elektronicznych
dr hab. inż. Mariusz Sochacki, prof. uczelni


tel: (+48) 22 234 7932
e-mail:
Gmach Elektrotechniki (GR), p. 423C

Przejdź do strony zakładu: http://zmime.imio.pw.edu.pl